电流传感器公司推出的新型ACS756还具有内置静电屏蔽功能。该静电屏蔽可有效分流硅片周围的瞬时电压峰值效应，减少器件输出的电压纹波，从而可提供适用于电机和逆变器控制、电源控制及保护、以及其他需要高侧电流感应的应用的高性能电流感应解决方案。
电流传感器公司在高性能电源集成电路和集成霍尔效应磁性传感器的开发、制造及营销领域始终处于世界领先地位。独具创新的解决方案服务于汽车、通讯、计算机与办公自动化、消费和工业市场中的高增长应用。
电流传感器技术、通信技术和计算机技术已成为现代信息技术的三大支柱。传感器是信息采集器件，系统感知、获取和检测信息的窗口。采用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成电流传感器是通过同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现的，通过感应电流的大小来达到对工作中马达的控制。
2 锑化铟电流传感器的结构和工作原理
用锑化铟-铟共晶体薄膜磁阻元件制成MRCS的感应磁头主要由导线、绝缘基片、InSb-In磁阻元件MR1和MR2、永磁体、5个引脚等组成，另外加上起屏蔽和保护作用的金属外壳。MR1和MR2是相对放置的一对磁阻元件，其阻值大致相等，导线置于MR1和MR2的对称轴位置。其等效电路。
InSb-In磁敏电阻器是该电流传感器的核心，它的工作机理基于磁阻效应。根据磁阻效应，其电阻率变化为
B是磁感应强度;ρB和ρ0分别为有磁场和无磁场时InSb-In磁敏电阻器的电阻率;μn为载流子的迁移率。这种InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻器的磁阻特性仍遵守InSb单晶的规律，为抛物线形状的曲线，可用一元二次三项式表示为
RB/R0=1+αB+βB2 (2)
式中：B是磁感应强度;RB和R0分别为有磁场和无磁场时InSb-In磁敏电阻器的电阻值;α，β是与元件有关的系数。当导线有交流电流通过时，就会在它周围产生一个交变的螺旋管磁场，于是就会在其中间连接点产生一个交变电压信号，然后再经过放大和比较，从而达到对交流电流的监测。
3 信号处理电路
信号采集电路中的InSb-In薄膜磁阻元件采用三端差分型接法如图1(b)所示，这种信号采集电路具有输出信号较大和较强抑制温漂的能力。信号处理电路采用阻容耦合型差动放大电路，在图2中IC1和IC2为两级差动放大，改变R2，R7，R5，R8的阻值可以调整放大倍数。集成运放的静态电压由R3和R6来调节，考虑到通常磁头内的上、下两个磁阻元件不完全平衡，MR1与MR2的阻值会有10%以内的差别，在+5 V的工作电源下，信号采集的输出端电压在2.4～2.6 V。为了减少信号在磁头与运放之间阻容耦合中的损失，电流传感器一般把集成运放静态电压设置为低于2.5 V，取2 V比较合适。